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GT60J101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ -
le GT60J101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
Image: -
Source: Jaeger electronic catalog...... [plus]
Jaeger electronic catalog 1999
informations plus avancées pour GT60J101
OEM:Toshiba Toky... [plus]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:TOP-3L
Fiche technique (jpg):-
Fiche technique (pdf):-
OEM Fiche technique:-
Type complémentaire:-
Liste des type similaires:GN6075E, [plus]
GN6075E,MGY40N60
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GT60J101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ -
le GT60J101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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GT60J101


SI N-IGBT transistor
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ -
le GT60J101 c´est transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 60A, d´application: Niveaux de performance
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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GN6075E,MGY40N60
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Rem.:un type simil. n'est pas toujours un type remplacem., veuillez vérifier les exigences du circuit avant l'utilisation du comme type de remplacem.

GN6075E


SI N-IGBT transistor
similar to GT60J101, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
le GN6075E c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 75A, d´application: Niveaux de performance
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Type similaire: GN6075E
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Hitachi Ltd. Japan
Package:TOP-3L
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GN6075E


SI N-IGBT transistor
similar to GT60J101, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
TON/TOFF 1/1.2µS
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UCE 600V
UGE 20V
IC 75A
Ptot 250W
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MGY40N60


SI N-IGBT transistor
similar to GT60J101, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 66A
Ptot 260W
TON/TOFF 221/710nS
TJ -
le MGY40N60 c´est similaire transistor silicium N-IGBT , Uce = 600V, Ic = 66A, d´application: Transistor de puissance (type universel)
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Type similaire: MGY40N60
OEM:Motorola Sem... [plus]
Motorola Semiconductor Products Inc.
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